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NOR FLASH
大容量NORFLASH是高存储密度的闪存存储器，由一个或多个NOR FLASH基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天、工业控制等领域的飞机、卫星、飞船、车辆、地面装备等的计算机系统中。
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产品特性 |
总容量：64M~512M;
访问速度：最快达90ns；7.5ns;
数据宽度： 4位，8位，16位；
电源电压：3.3V；
典型产品辐照指标：
TID: >15krad（Si）
SEL: >99.8 Mev·cm2/mg
SEU: >4.7 Mev·cm2/mg
工作温度：-55℃~125℃。
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产品列表 |
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# |
NOR FLASH |
存储容量（bit） |
存储组织 |
电压 |
访问速度 |
抗辐射 |
封装 |
温度等级 |
筛选等级 |
质量等级 |
||
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|
|
|
|
|
|
TID 1) |
SEL 2) |
SEU 3) |
|
|
|
|
|
1 |
VDRF2G08xS60xx4V90 |
2G |
256M*8 |
3.3V |
90ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP60 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
|
VDRF64M16xS54xx1V90 |
64M |
4M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
2 |
VDRF128M16xS54xx2V90 |
128M |
8M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
3 |
VDRF256M16xS54xx4V90 |
256M |
16M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
4 |
VDRF256M16xS54xx4V90-Ⅱ |
256M |
16M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
5 |
VDRF512M16xS56xx8V90 |
512M |
32M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP56 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
|
VDSF512M04XS18XX2V133 |
512M |
128M*4 |
3.3V |
7.5ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP18 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相关下载 |
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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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