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NAND FLASH
大容量NANDFLASH是高存储密度的闪存存储器，由一个或多个NAND FLASH基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天、工业控制等领域的飞机、卫星、飞船、车辆、地面装备等的计算机系统中。
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产品特性 |
总容量：2G~2T;
访问速度：最快达25ns；
数据宽度：8位，16位，32位；
电源电压：3.3V；
典型产品辐照指标：
TID: >60krad（Si）
SEL: >60 Mev·cm2/mg
SEU: 1.3 Mev·cm2/mg
工作温度：-55℃~125℃。
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产品列表 |
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# |
NAND FLASH |
存储容量（bit） |
存储组织 |
电压 |
访问速度 |
抗辐射 |
封装 |
温度等级 |
筛选等级 |
质量等级 |
||
|
|
|
|
|
|
|
TID 1) |
SEL 2) |
SEU 3) |
|
|
|
|
|
1 |
HKNF8G08VS48MM1V25 |
8G |
1G×8 |
3.3V |
25ns |
—— |
—— |
—— |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
2 |
VDNF2G08xS48xx1V25 |
2G |
256M*8 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
3 |
VDNF2T16xP193xx4V25 |
2T |
128G×16 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
PGA193 |
E,I,S |
E,B,S |
EE, IB, SS |
|
4 |
VDNF2T32xP193xx4V25 |
2T |
64G×32 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
PGA193 |
E,I,S |
E,B,S |
EE, IB, SS |
|
5 |
VDNF8G08xS48xx1V25 |
8G |
1G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
6 |
VDNF8G08xS50xx1V25 |
8G |
1G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
7 |
VDNF16G08XS50XX1V25 |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
8 |
VDNF16G08xS50xx2V25 |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
9 |
VDNF16G08xS50xx2V25-Ⅱ |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
10 |
VDNF16G08xS50xx4V25 |
16G |
2G×8 |
3.3V |
25ns |
>50 |
>58 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
11 |
VDNF32G08XS50XX2V25 |
32G |
4G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
12 |
VDNF32G08xS50xx4V25-Ⅱ |
32G |
4G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
13 |
VDNF32G08xS50xx8V25 |
32G |
4G×8 |
3.3V |
25ns |
>50 |
>58 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
14 |
VDNF64G08xS50xx4V25 |
64G |
8G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
15 |
VDNF64G08xS50xx8V25-Ⅱ |
64G |
8G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>62.5 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
16 |
VDNF64G08xS50xx8V25-Ⅲ |
64G |
8G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
17 |
64G |
4G×16 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>62.5 |
1.3 |
SOP58 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
|
18 |
VDNF64G16xS58xx8V25-Ⅲ |
64G |
4G×16 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP58 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
19 |
VDNF64G16xS58xx8V25-II |
64G |
4G×16 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP58 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
20 |
VDNF128G08VS50IB8V25 |
128G |
16G×8 |
3.3V |
25ns |
—— |
—— |
—— |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
21 |
VDNF128G08xS48xx1V25 |
128G |
16G×8 |
3.3V |
25ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP48 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
22 |
VDNF128G08xS50xx8V25 |
128G |
16G×8 |
3.3V |
25ns |
>60 |
>60 |
1.3 |
SOP50 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相关下载 |
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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