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SDRAM

大容量SDRAM是高存储密度的动态数据存储器,由一个或多个SDRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统

  产品特性


总容量:512M~4G;

访问速度:最快达7.5ns

数据宽度:8位,16位,32位,40位,48位;

电源电压:3.3V

典型产品辐照指标:

TID: 50kradSi

SEL: 80Mev·cm2/mg

SEU: 1Mev·cm2/mg

工作温度:-55~105℃。

 

   产品列表


#

SDRAM

存储容量(bit)

存储组织

电压

访问速度

抗辐射

封装

温度等级

筛选等级

质量等级

 

 

 

 

 

 

TID 1

SEL 2

SEU 3

 

 

 

 

1

VDSD1G16xS58xx2V75

1G

64M*16

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP58

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

2

VDSD1G32xS70xx2V75

1G

32M*32

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

3

VDSD1G32xS70xx2V75-

1G

32M*32

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

4

VDSD2G08xS54xx4V75

2G

256M*8

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

5

VDSD2G32xS70xx4V75

2G

64M*32

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

6

VDSD2G40xS70xx5V75

2G

64M*40

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

7

VDSD2G72xB134xx5V75

2G

32M*72

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

BGA134

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

8

VDSD3G48xQ114xx6V75

3G

64M*48

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

QFP114

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

9

VDSD4G08xS54xx8V75-

4G

512M*8

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

10

VDSD4G08xS54xx8V75

4G

512M*8

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

11

VDSD4G08xS58xx8V75

4G

512M*8

3.3V

7.5ns

>50

>80

2

SOP58

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

12

VDSD4G16xS62xx8V75

4G

256M*16

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP62

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

13

VDSD512M16xS54xx1V75

512M

32M*16

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS


1TID: Total DoseKrads(Si)

2SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

   相关下载


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