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DDR3
VD3D系列大容量DDR3存储器，由单片或多片DDR3基片采用立体封装工艺进行堆叠而成。其高可靠、小型化的特性广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
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产品特性 |
总容量：16Gb;
频率：最高达800MHz；
位宽：16bit，72bit；
电源电压：1.5V，兼容1.35V；
封装：BGA96、BGA199
典型产品辐照指标：
TID: 100 krad（Si）
SEL: 60Mev·cm2/mg
SEU: 0.4Mev·cm2/mg
工作温度：
0~70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
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产品列表 |
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# |
DDR3 |
存储 容量 |
存储 组织 |
电压 |
频率 |
抗辐射 |
封装 |
温度 等级 |
筛选 等级 |
质量 等级 |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD3D16G16xB96xx2WH |
16Gb |
1Gx16 |
1.5V、1.35V |
667MHz |
100 |
60 |
0.4 |
BGA96 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD3D16G72XB199XX2WH |
16Gb |
256M*72 |
1.5V、1.35V |
667MHz |
100 |
60 |
0.4 |
BGA199 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相关下载 |
| VD3D16G16xB96xx2WH user manual.pdf |  VD3D16G16xB96xx2WH user manual.pdf |
| VD3D16G72XB199XX2WH user manual.pdf | VD3D16G72XB199XX2WH user manual.pdf |
| 立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf | 立体封装模块自动回流焊装配规范_opt.pdf |
| 立体封装模块手工装配工艺建议.pdf | 立体封装模块手工装配工艺建议.pdf |
| 立体封装模块加固建议.pdf | 立体封装模块加固建议_opt.pdf |
| 立体封装模块焊接后清洗建议.pdf | 立体封装模块焊接后清洗建议.pdf |
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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